“恭喜宿主完成任務：全球手機出貨量達到前四，恭喜宿主獲得第四階段獎勵禮包！”
“第五階段任務開啟：根據全球手機的出貨量超越三鑫或果子！”
隨著全球手機出貨量的公布，黃達終於是完成了目前係統交代的第4個任務，並且獲得了相應的獎勵禮包。
除了第四階段禮包的獎勵之外，係統同時也公布了第五階段的任務。
超越果子或者三鑫！
這意味著莓族需要在接下來的時間之中繼續努力，爭取讓自家的品牌成為全球第一或者第二。
而現在的莓族需要借著這股勢頭讓自家的地位進一步的鞏固，爭取在未來的發展之中成功的成為目前全球最大的手機出貨廠商，取代三鑫以及果子的位置。
隨後黃達迫不及待的打開了目前係統獎勵的第四階段的禮包，想要看看第四階段的禮包之中到底有什麽樣的獎勵。
“恭喜宿主獲得：全新光刻機碳基半導體材料打磨技術！”
第一個獎勵的則是和光刻機有關的獎勵。
在半導體行業之中流傳著多的定理叫做“摩爾定律”！
摩爾定律認為每兩年的時間，相應階段的芯片的晶體管數量會翻上一倍。
當然目前的整個芯片生產行業，其處理器芯片的晶體管的發展趨勢基本上是完全符合目前的摩爾定律。
不過隨著半導體行業的發展，現在所采用的矽晶材料已經完全無法滿足行業所需的發展要求。
要知道一款芯片的性能有多強，主要看這款芯片在相同的麵級之內能夠采用多少的晶體管。
晶體管的主要運作則是通過柵極開電流通過電流關閉，最終達到運算的效果。
而手機的性能以及運算水平都是由無數個晶體管通過放行或者阻斷電流，從而完成了芯片的運算過程。
這也就意味著晶體管的數量越多，處理器芯片的性能表現和運算水平越高。
處理器芯片之中所熟知的納米製程，則是和晶體管的尺寸相關。
其所代表的並不是晶體管的平均的每個晶體管的厚度，而是晶體管中最小柵極的厚度。
用這樣的話來說，所謂的5納米製程，並不是所有的晶體管的厚度達到5納米，而是一部分的晶體管的厚度達到了5納米水平。
當然處理器芯片的製程越小，晶體管的體積越小，同等麵積之中就能夠放下更多的晶體管，從而提高運算水平和性能並且降低功耗。
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當然隨著目前光刻機技術的不斷增強，所謂的製程將會受到限製。
這正是最為常見的“量子隧穿效應”！
這種效應會導致處理器之中的晶體管電流通過三柵極之時，由於柵極的直徑狹小導致漏電，最終損害柵極，從而使得整個處理器芯片破壞。
最開始影響這種量子隧穿效應的極限是28納米，當小於28納米的時候，會影響到芯片的良品率。
當然從事半導體行業的專業人員將原本的半導體的晶體管的結構進行改變從平麵的單個柵極改變成為三麵環繞的柵極立體結構。
從而控製住了漏電的情況，最終成功地突破了28納米製程工藝的極限。
而目前的大多數的芯片都是采用這種全新的結構，從而保證處理器芯片的良品率。
隨著目前半導體行業的發展，處理器芯片製程已經完全的開始達到三納米，而三納米則是一個非常困難的發展限製。
這種立體的晶體管結構已經完全無法駕馭住三納米的自產工藝若是突破了3納米製成工藝之後，會出現相應的漏電，從而導致良品率的逐步下降。
而在去年公布即將采用1納米的台基電，雖然本質上的製程工藝隻有2納米水準，但就算如此整個生產線的良品率其實還不到10%，這也讓目前的台積電無法真正地開始將1納米的製程工藝進行商用。
現在的光刻機的製程工藝想要更進一步，需要做出更大的改變，當然目前是擁有著兩種改變的方式。
第一種是進行處理器芯片晶體管的全新架構的研發，目前有部分的科學家提出了全環柵極晶體管排列技術。
這項技術是上一代技術的升級版本，其最大的難度就是將原本的三麵環繞變成了至少九麵以上的環繞，從而保證電流經過柵極的時候不會漏電。
當然這項技術的難度是非常之高的，想要完全的將這項技術真正的運用，並且時間需要非常多的人力物力去研發。
以至於現在的各國都沒有將這項技術完全的研發出來，並且運用到接下來的半導體芯片的生產之中。
第二種辦法就是采用其他的材料，將原本的材料換成密度更高，更加穩定的半導體材料。
而係統目前獎勵的這項技術就是將原先的矽材料換成了碳基材料，從而實現新的半導體材料的變更，這種半導體材料配合著原有的技術能夠使得芯片的晶體管達到0.5納米的製程。
這種真正意義上的改變，能夠使得手機的芯片的晶體管數量進一步的提升，並且能夠使得手機真正的達到性能的突飛猛進。
而擁有了這項技術再加上全新的光刻機配合，目前華騰半導體芯片設計能力，完全能夠研發出更為強勁的處理器芯片。
隻不過這項技術完全無法靠一家公司去真正的實現，新材料的變更，必須需要大量的資金配合著技術人員的研發，才能夠將新的軌跡的半導體材料完全的研發出來並且運用到目前的半導體領域。
這一項全新的半導體技術，想要從理論突破成真實地記述其不僅需要花費大量的資金，同時也需要花費大量的人力物力。
雖然說現在莓族科技公司的水平已經達到了一種新的高度，但是其擁有的資金以及整體的科研人員來說，根本無法真正意義上的將所謂的新半導體材料研發出來。
這項全新的材料技術還是需要跟更多的企業甚至是上方進行深度的合作，從而使得真正意義上的將全新的半導體材料研發出來。
不過到目前的這項半導體材料完全的研發出來，未來的半導體行業基本上都是由華國說了算。
“恭喜宿主獲得複合型散熱鋁合金材料！”
相比於第一項技術來說，第二項技術就相對於來說有點弱了。
第二項技術則是一種全新的散熱型材料，這種散熱型材料能夠使得手機內部的熱量完全的通過物理流體方式從而實現快速降溫。
而這項全新的材料若是運用在手機之中，能夠在三分鍾之內將45度的手機溫度直接降到40度以下。
這一項全新的新型散熱材料，可以完全的運用在手機內部充當散熱材料，同時也能夠將這樣的材料做成手機散熱殼，從而充當配件去銷售獲得一定的產品利潤。
並且這項技術相對於上一項獎勵來說要簡單的太多，基本上這家公司的人緣靠著實力變，可以完全的將這項技術研發出來，甚至能夠在接下來時間之內將這項技術完全的運用在實際的產品之上。
可以說這項技術是一項極為優秀好研發的技術，並且能夠幫助自家公司快速的獲得相應的資金收入。
第三百五十四章 新型半導體材料
“第五階段任務開啟：根據全球手機的出貨量超越三鑫或果子！”
隨著全球手機出貨量的公布，黃達終於是完成了目前係統交代的第4個任務，並且獲得了相應的獎勵禮包。
除了第四階段禮包的獎勵之外，係統同時也公布了第五階段的任務。
超越果子或者三鑫！
這意味著莓族需要在接下來的時間之中繼續努力，爭取讓自家的品牌成為全球第一或者第二。
而現在的莓族需要借著這股勢頭讓自家的地位進一步的鞏固，爭取在未來的發展之中成功的成為目前全球最大的手機出貨廠商，取代三鑫以及果子的位置。
隨後黃達迫不及待的打開了目前係統獎勵的第四階段的禮包，想要看看第四階段的禮包之中到底有什麽樣的獎勵。
“恭喜宿主獲得：全新光刻機碳基半導體材料打磨技術！”
第一個獎勵的則是和光刻機有關的獎勵。
在半導體行業之中流傳著多的定理叫做“摩爾定律”！
摩爾定律認為每兩年的時間，相應階段的芯片的晶體管數量會翻上一倍。
當然目前的整個芯片生產行業，其處理器芯片的晶體管的發展趨勢基本上是完全符合目前的摩爾定律。
不過隨著半導體行業的發展，現在所采用的矽晶材料已經完全無法滿足行業所需的發展要求。
要知道一款芯片的性能有多強，主要看這款芯片在相同的麵級之內能夠采用多少的晶體管。
晶體管的主要運作則是通過柵極開電流通過電流關閉，最終達到運算的效果。
而手機的性能以及運算水平都是由無數個晶體管通過放行或者阻斷電流，從而完成了芯片的運算過程。
這也就意味著晶體管的數量越多，處理器芯片的性能表現和運算水平越高。
處理器芯片之中所熟知的納米製程，則是和晶體管的尺寸相關。
其所代表的並不是晶體管的平均的每個晶體管的厚度，而是晶體管中最小柵極的厚度。
用這樣的話來說，所謂的5納米製程，並不是所有的晶體管的厚度達到5納米，而是一部分的晶體管的厚度達到了5納米水平。
當然處理器芯片的製程越小，晶體管的體積越小，同等麵積之中就能夠放下更多的晶體管，從而提高運算水平和性能並且降低功耗。
<a id="wzsy" href="https://www.biquge.name">biquge.name</a>
當然隨著目前光刻機技術的不斷增強，所謂的製程將會受到限製。
這正是最為常見的“量子隧穿效應”！
這種效應會導致處理器之中的晶體管電流通過三柵極之時，由於柵極的直徑狹小導致漏電，最終損害柵極，從而使得整個處理器芯片破壞。
最開始影響這種量子隧穿效應的極限是28納米，當小於28納米的時候，會影響到芯片的良品率。
當然從事半導體行業的專業人員將原本的半導體的晶體管的結構進行改變從平麵的單個柵極改變成為三麵環繞的柵極立體結構。
從而控製住了漏電的情況，最終成功地突破了28納米製程工藝的極限。
而目前的大多數的芯片都是采用這種全新的結構，從而保證處理器芯片的良品率。
隨著目前半導體行業的發展，處理器芯片製程已經完全的開始達到三納米，而三納米則是一個非常困難的發展限製。
這種立體的晶體管結構已經完全無法駕馭住三納米的自產工藝若是突破了3納米製成工藝之後，會出現相應的漏電，從而導致良品率的逐步下降。
而在去年公布即將采用1納米的台基電，雖然本質上的製程工藝隻有2納米水準，但就算如此整個生產線的良品率其實還不到10%，這也讓目前的台積電無法真正地開始將1納米的製程工藝進行商用。
現在的光刻機的製程工藝想要更進一步，需要做出更大的改變，當然目前是擁有著兩種改變的方式。
第一種是進行處理器芯片晶體管的全新架構的研發，目前有部分的科學家提出了全環柵極晶體管排列技術。
這項技術是上一代技術的升級版本，其最大的難度就是將原本的三麵環繞變成了至少九麵以上的環繞，從而保證電流經過柵極的時候不會漏電。
當然這項技術的難度是非常之高的，想要完全的將這項技術真正的運用，並且時間需要非常多的人力物力去研發。
以至於現在的各國都沒有將這項技術完全的研發出來，並且運用到接下來的半導體芯片的生產之中。
第二種辦法就是采用其他的材料，將原本的材料換成密度更高，更加穩定的半導體材料。
而係統目前獎勵的這項技術就是將原先的矽材料換成了碳基材料，從而實現新的半導體材料的變更，這種半導體材料配合著原有的技術能夠使得芯片的晶體管達到0.5納米的製程。
這種真正意義上的改變，能夠使得手機的芯片的晶體管數量進一步的提升，並且能夠使得手機真正的達到性能的突飛猛進。
而擁有了這項技術再加上全新的光刻機配合，目前華騰半導體芯片設計能力，完全能夠研發出更為強勁的處理器芯片。
隻不過這項技術完全無法靠一家公司去真正的實現，新材料的變更，必須需要大量的資金配合著技術人員的研發，才能夠將新的軌跡的半導體材料完全的研發出來並且運用到目前的半導體領域。
這一項全新的半導體技術，想要從理論突破成真實地記述其不僅需要花費大量的資金，同時也需要花費大量的人力物力。
雖然說現在莓族科技公司的水平已經達到了一種新的高度，但是其擁有的資金以及整體的科研人員來說，根本無法真正意義上的將所謂的新半導體材料研發出來。
這項全新的材料技術還是需要跟更多的企業甚至是上方進行深度的合作，從而使得真正意義上的將全新的半導體材料研發出來。
不過到目前的這項半導體材料完全的研發出來，未來的半導體行業基本上都是由華國說了算。
“恭喜宿主獲得複合型散熱鋁合金材料！”
相比於第一項技術來說，第二項技術就相對於來說有點弱了。
第二項技術則是一種全新的散熱型材料，這種散熱型材料能夠使得手機內部的熱量完全的通過物理流體方式從而實現快速降溫。
而這項全新的材料若是運用在手機之中，能夠在三分鍾之內將45度的手機溫度直接降到40度以下。
這一項全新的新型散熱材料，可以完全的運用在手機內部充當散熱材料，同時也能夠將這樣的材料做成手機散熱殼，從而充當配件去銷售獲得一定的產品利潤。
並且這項技術相對於上一項獎勵來說要簡單的太多，基本上這家公司的人緣靠著實力變，可以完全的將這項技術研發出來，甚至能夠在接下來時間之內將這項技術完全的運用在實際的產品之上。
可以說這項技術是一項極為優秀好研發的技術，並且能夠幫助自家公司快速的獲得相應的資金收入。
第三百五十四章 新型半導體材料