布雷迪將展開在手裏的紙條翻來覆去的看了一遍又一遍，整個臉部不斷抽動的表情仿佛想知道這到底是不是上帝在和自己開一個國際大玩笑。
接受完各方的額祝賀，反應過來的小林宏誌才想到了要和即將入手的研究所核心人物見個麵打個招呼，向其表達一下自己的友善，但是這四處一看，哪還能找得到人……
今天這一個夜晚，注定對於有些人來說是個不眠之夜，小林宏誌、井深大及小田中村次郎回到酒店繼續歡慶，布雷迪卻是苦逼的睡在床上翻來覆去無法入眠，連帶著這一夜他的妻子艾連娜也無法象往常那樣睡個好覺。
第二天一早，匆忙的洗漱過後，布雷迪顧不得坐下來和妻子一起享用早餐，在餐桌上僅僅抓了兩塊麵包大口喝了一杯牛奶，就頂著他那雙熊貓眼往姚飛酒店的房間趕去。
每一個對於科學研究有著執著追求的專家教授都有一個同樣而致命的軟肋，那就是對於任何高尖端技術的抵抗力幾乎為零。
當時姚飛也是想到這個原因，外加抓住布雷迪迫切需要向科學界證明自己的想法，給了姚飛引誘布雷迪脫離研究所為自己工作的想法，接下來的事情就簡單了，單晶矽的磁控直拉技術、連續生長技術甚至懸浮區熔法，姚飛這裏應有盡有。
正在整理昨晚寫出資料姚飛，聽見敲門聲響起打開門之後，看見站在門外的布雷迪教授頂著一雙大大的熊貓眼，就知道事情基本上已經成了，隻要鋤頭舞的好，哪有牆角挖不倒，真是金玉良言啊！
“布雷迪教授，早上好，自我介紹一下，我是姚飛，請進！”
就等你呢，既然來了，當然沒有理由讓人家在門外說話，不禮貌不說還不方便。
“謝謝。”
布雷迪沒說什麽，謝了一聲跟著進了房間。
“姚先生，你說你掌握單晶矽製造的各種方法，其中包括磁控直拉技術、連續生長技術以及區熔法，請問真的是這樣嗎？”
一坐下來，布雷迪立馬急切的向姚飛詢問道。
“是的教授，這些技術的原理我都知曉，這些技術方法都已經經過我實驗論證，隻等進一步用於實踐的生產之中……”
大魚上鉤了，喜歡釣魚的人都知道，咬鉤了千萬別立馬拎杆，這樣魚線很容易被大魚給背斷的。
這個時候，必須要放長線，讓其在水中不斷衝來衝去，直到魚精疲力盡的時候，自然就可以非常輕鬆的拖上岸。
姚飛先前的想法就是先用技術**他，擾亂他的心神，然後再讓其心理掙紮個那麽一會，進而等到對方來找自己時，再向對方拋出自己的橄欖枝，至於對方上不上鉤，那就要看對方對於技術的執著度了，而以姚飛昨天的所見所聞，對方不上鉤的可能性不大。
“姚先生，能不能向您請教一下單晶矽技術，為什麽原來我們研究所生產的單晶矽純度才能達到98.97%，卻是依然達不到市場的標準純度的99.9%？”
布雷迪明顯是個實幹派，聽姚飛說他有技術，立馬就呼啦一下就問上了。
“不知道教授之前采用的是何種生長技術，以及單晶矽棒生長中一些操作能給我細節介紹一下嗎？”
“沒問題，我之前使用的也是直拉法生長技術。
通過強電阻加熱，將裝在石英坩堝中的多晶矽熔化，並保持略高於矽熔點的溫度，然後將籽晶浸入熔體，再以一定速度向上提拉籽晶並同時旋轉引出晶體；
然後控製晶體的延伸，並將其控製到所需要的直徑，上下正反方向旋轉拉扯，控製晶體等徑生長到所需長度，最後再收尾，待晶體冷卻便將其取出。”
布雷迪詳細的介紹了一下他製造單晶矽的流程，基本上是按照之前的直拉法單晶矽製造工藝流程來的，這也是目前單晶矽產業內的通用製造方法。
“我知道了，教授剛才所描述的方法基本上是沒什麽大問題的，但是有幾個小問題不知道教授在實際生產操作中有沒有考慮到。
一是采用直拉法時，引晶階段的熔體高度最高，而裸露坩堝壁的高度最小，在晶體生長過程直到收尾階段。
這個過程裸露坩堝壁的高度不斷增大，這樣造成生長條件不斷變化包括熔體的對流、熱傳輸、固液界麵形狀等，即整個晶棒從頭到尾經曆不同的受熱狀況，頭部受熱時間最長，尾部最短，這樣肯定會造成晶體軸向、徑向雜質分布不均勻。
同時在直拉法中，氧含量及其分布是非常重要，但是氧含量又是難以控製的參數，這主要是熔體中的熱對流加劇了熔融矽與石英坩鍋的作用，即坩鍋中的o2、b、al等雜質易於進入熔體和晶體，最後就造成了出爐的單晶矽棒雜質含量過高。”
產生的問題這對於姚飛來說壓根就沒什麽好隱瞞的，解決產生問題的技術才是關鍵，接著他又將傳統的單晶矽直拉生產技術中容易出現的問題跟布雷迪大致介紹了一遍。
“那姚先生所說的磁控直拉技術便是針對這方麵的改進？”
布雷迪這個時候哪有平時那副全能全知的教授氣度，完全是個懵懂的小學生，正一臉滿懷期待的表情等待著姚飛的回答。
“不錯，磁控直拉生長技術便是對傳統的直拉生長技術的改進，此技術改進減少了熔體中的溫度波度。
目前直拉法中固液界麵附近熔體中的溫度波動可以達到10c以上，而如果施加一個0.2t的磁場，那這個溫度波動就會小於1c。
這樣可以明顯提高晶體中雜質分布的均勻性，同時晶體的徑向電阻分布均勻性也可以得到提高；
這樣一來，就可以降低單晶中的缺陷密度，減少雜質的進入，也就提高了晶體的純度。
這是由於在磁場作用下，熔融矽與坩鍋的作用減弱，使坩鍋中的雜質較少進入熔體和晶體。
將磁場強度與晶體轉動、坩鍋轉動等工藝參數結合起來，可有效控製晶體中氧濃度的變化；由於磁粘滯性，使擴散層厚度增大，可提高雜質縱向分布均勻性；有利於提高生產率。
采用磁控直拉技術，如用水平磁場，當生長速度為一般直拉法兩倍時，仍可得到質量較高的晶體，對於大規模批量生產簡直就是福音。”
對於這個磁控直拉技術，姚飛也沒有藏私，將改進方法和一些改進參數告訴了布雷迪……
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當時姚飛也是想到這個原因，外加抓住布雷迪迫切需要向科學界證明自己的想法，給了姚飛引誘布雷迪脫離研究所為自己工作的想法，接下來的事情就簡單了，單晶矽的磁控直拉技術、連續生長技術甚至懸浮區熔法，姚飛這裏應有盡有。
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“姚先生，你說你掌握單晶矽製造的各種方法，其中包括磁控直拉技術、連續生長技術以及區熔法，請問真的是這樣嗎？”
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姚飛先前的想法就是先用技術**他，擾亂他的心神，然後再讓其心理掙紮個那麽一會，進而等到對方來找自己時，再向對方拋出自己的橄欖枝，至於對方上不上鉤，那就要看對方對於技術的執著度了，而以姚飛昨天的所見所聞，對方不上鉤的可能性不大。
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“不知道教授之前采用的是何種生長技術，以及單晶矽棒生長中一些操作能給我細節介紹一下嗎？”
“沒問題，我之前使用的也是直拉法生長技術。
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然後控製晶體的延伸，並將其控製到所需要的直徑，上下正反方向旋轉拉扯，控製晶體等徑生長到所需長度，最後再收尾，待晶體冷卻便將其取出。”
布雷迪詳細的介紹了一下他製造單晶矽的流程，基本上是按照之前的直拉法單晶矽製造工藝流程來的，這也是目前單晶矽產業內的通用製造方法。
“我知道了，教授剛才所描述的方法基本上是沒什麽大問題的，但是有幾個小問題不知道教授在實際生產操作中有沒有考慮到。
一是采用直拉法時，引晶階段的熔體高度最高，而裸露坩堝壁的高度最小，在晶體生長過程直到收尾階段。
這個過程裸露坩堝壁的高度不斷增大，這樣造成生長條件不斷變化包括熔體的對流、熱傳輸、固液界麵形狀等，即整個晶棒從頭到尾經曆不同的受熱狀況，頭部受熱時間最長，尾部最短，這樣肯定會造成晶體軸向、徑向雜質分布不均勻。
同時在直拉法中，氧含量及其分布是非常重要，但是氧含量又是難以控製的參數，這主要是熔體中的熱對流加劇了熔融矽與石英坩鍋的作用，即坩鍋中的o2、b、al等雜質易於進入熔體和晶體，最後就造成了出爐的單晶矽棒雜質含量過高。”
產生的問題這對於姚飛來說壓根就沒什麽好隱瞞的，解決產生問題的技術才是關鍵，接著他又將傳統的單晶矽直拉生產技術中容易出現的問題跟布雷迪大致介紹了一遍。
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布雷迪這個時候哪有平時那副全能全知的教授氣度，完全是個懵懂的小學生，正一臉滿懷期待的表情等待著姚飛的回答。
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目前直拉法中固液界麵附近熔體中的溫度波動可以達到10c以上，而如果施加一個0.2t的磁場，那這個溫度波動就會小於1c。
這樣可以明顯提高晶體中雜質分布的均勻性，同時晶體的徑向電阻分布均勻性也可以得到提高；
這樣一來，就可以降低單晶中的缺陷密度，減少雜質的進入，也就提高了晶體的純度。
這是由於在磁場作用下，熔融矽與坩鍋的作用減弱，使坩鍋中的雜質較少進入熔體和晶體。
將磁場強度與晶體轉動、坩鍋轉動等工藝參數結合起來，可有效控製晶體中氧濃度的變化；由於磁粘滯性，使擴散層厚度增大，可提高雜質縱向分布均勻性；有利於提高生產率。
采用磁控直拉技術，如用水平磁場，當生長速度為一般直拉法兩倍時，仍可得到質量較高的晶體，對於大規模批量生產簡直就是福音。”
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