集成電路（integrated circuit，簡稱ic）的發展曆史可以追溯到20世紀中葉。以下是其發展的主要曆程和趨勢：
早期發展階段1.1947年貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓發明了晶體管，這是微電子技術發展中的第一個裏程碑。
1950年結型晶體管誕生。
1951年場效應晶體管發明。
1956年c.s. fuller發明了擴散工藝。
1958年仙童公司的羅伯特·諾伊斯和德州儀器的傑克·基爾比分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的曆史。
技術進步1960年h.h. loor和e. casteni發明了光刻工藝。
1962年美國rca公司研製出mos場效應晶體管。
1963年f.m. wass和c.t. sah首次提出cmos技術，今天95%以上的集成電路芯片都是基於cmos工藝。
1964年英特爾的摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加一倍。
1966年美國rca公司研製出cmos集成電路，並研製出第一塊門陣列（50門）。
1967年應用材料公司（applied materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備製造公司。
大規模集成電路時代1971年英特爾推出1kb動態隨機存儲器（dram），標誌著大規模集成電路出現。
1971年全球第一個微處理器4004由英特爾公司推出，采用的是mos工藝，這是一個裏程碑式的發明。
1974年rca公司推出第一個cmos微處理器1802。
1976年16kb dram和4kb sram問世。
1978年64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的矽片上集成了14萬個晶體管，標誌著超大規模集成電路（vlsi）時代的來臨。
個人電腦時代1.1979年英特爾推出5mhz 8088微處理器，之後，ibm基於8088推出全球第一台pc。
1981年256kb dram和64kb cmos sram問世。
1984年日本宣布推出1mb dram和256kb sram。
1985年微處理器問世，20mhz。
1988年16m dram問世，1平方厘米大小的矽片上集成有3500萬個晶體管，標誌著進入超大規模集成電路（vlsi）階段。
現代發展1989年1mb dram進入市場。
1989年486微處理器推出，25mhz，1μm工藝，後來50mhz芯片采用0.8μm工藝。
1992年64m位隨機存儲器問世。
1993年66mhz奔騰處理器推出，采用0.6μm工藝。
1995年pentium pro，133mhz，采用0.6-0.35μm工藝。
1997年300mhz奔騰2問世，采用0.25μm工藝。
1999年奔騰3問世，450mhz，采用0.25μm工藝，後采用0.18μm工藝。
2000年1gb ram投放市場。
2000年奔騰4問世，1.5ghz，采用0.18μm工藝。
2001年英特爾宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。
2003年奔騰4 e係列推出，采用90nm工藝。
2005年英特爾酷睿2係列上市，采用65nm工藝。
2007年基於全新45納米high-k工藝的英特爾酷睿2 e7\/e8\/e9上市。
2009年英特爾酷睿i係列全新推出，創紀錄采用了領先的32納米工藝，並且下一代22納米工藝正在研發。
中國的集成電路產業誕生於20世紀60年代，經曆了從計算機和軍工配套到消費類整機配套的轉變，並在90年代通過908工程和909工程取得了新的發展。
繼續遵循摩爾定律盡管麵臨物理極限的挑戰，半導體行業仍在尋找新的技術突破，以維持摩爾定律的發展趨勢。
新材料和新工藝如高介電常數材料（high-k）、金屬柵極（metal gate）和三維晶體管結構（如finfet）等，這些技術有助於進一步提高晶體管的性能和降低功耗。
係統級集成（system-on-chip, soc）將多個功能模塊集成到單個芯片上，實現更高的集成度和更低的功耗。
異構集成（heterogeneous integration）結合不同的半導體技術和材料，實現更複雜的功能和更高的性能。
量子計算和神經形態計算探索新的計算範式，以應對傳統計算架構的局限性。
集成電路的發展曆史展示了人類在半導體技術領域的持續創新和進步，這些技術的發展不僅推動了計算機和電子設備的革新，也對現代社會的發展產生了深遠影響。
以下是一些集成電路上市公司的例子：
中芯國際是一家在開曼群島注冊成立的公司，於2004年3月18日在香港聯合交易所主板上市，並於2020年7月16日在上海證券交易所科創板上市。中芯國際主要從事集成電路芯片的製造，提供從0.35微米到14納米製程工藝的設計和製造服務。
紫光國微是一家在集成電路設計領域深耕二十餘年的公司，已成為國內集成電路設計企業龍頭之一。該公司采用無晶圓廠（fabless）經營模式，根據客戶需求安排產品的對外委托生產。紫光國微的業務涵蓋特種集成電路、智能安全芯片和晶體等領域，市場占有率有所提升。
上海貝嶺專注於集成電路芯片設計和產品應用開發，是國內集成電路產品主要供應商之一，也是上海集成電路設計業前十名企業。該公司的市盈率為-514.89，2023年營業總收入同比增長4.54%，毛利率達到29.47%。
士蘭微是另一家集成電路上市公司，其市盈率為-1665，2023年營業總收入同比增長12.77%，毛利率達到22.21%。
中微公司是一家在集成電路領域具有重要地位的上市公司，其市盈率為84.83，2023年營業總收入同比增長32.15%，毛利率達到45.83%。
這些公司在集成電路行業中具有較高的知名度和市場份額，它們的業務範圍涵蓋了從芯片設計到製造的各個環節。
集成電路作為現代科技的核心組成部分，其未來布局將圍繞以下幾個關鍵方向展開：
技術創新後摩爾時代的設計創新隨著矽集成電路製造技術在器件特征尺寸上按比例縮小的進度變緩或終將停止，通過新技術的引入，集成電路算力仍將持續提升。這包括通過集成電路設計、新型材料和器件的顛覆性創新使芯片的算力按照摩爾定律的速度提升。
量子芯片和類腦智能芯片量子芯片、類腦智能芯片將引起巨大的技術變革。利用集成電路加工技術實現對量子信息的操控，進而實現具有量子信息處理功能的芯片；構造類生物神經網絡的半導體器件，製造類腦神經網絡結構和信息表達處理機製的芯片和係統，實現類腦感知與認知，是通往通用人工智能的一條重要可行路線。
跨維度異質異構集成和封裝技術這種技術將實現量子芯片、類腦芯片、3d存儲芯片、多核分布式存算芯片、光電芯片、微波功率芯片等與通用計算芯片的巨集成，徹底解決通用和專用芯片技術向前發展的功耗瓶頸、算力瓶頸並實現其功能拓展。
產業發展產融對接麵對新技術、新材料、新場景的不斷湧現，集成電路產業應積極探索產融對接的新模式，搭建高效的產融對接平台。通過政府引導、市場運作的方式，引入產業投資基金、風險投資等資本，為企業提供充足的資金支持，加速創新鏈、產業鏈、資金鏈的聚合，促進科技成果的快速轉化與商業化應用。
以市場為導向產業鏈企業可通過市場調研和數據分析，準確把握市場需求，優化產能布局，避免供需失衡。特別是在市場廣袤的新興領域，如物聯網、智能汽車等，早布局，搶先機；建立靈活的生產調整機製，應對市場周期性波動，實現“超車”。
人才培養和科研投入加強基礎研究和應用研究：產業鏈應抓住新信息技術帶來的機會，增加對基礎研究和應用研究的投入，特別是在新材料、新工藝、新架構等方麵。例如，探索risc-v架構及chiplet技術；與高校、科研機構合作，建立聯合實驗室和研發中心，推動前沿技術的突破。
培養和引進人才通過引進和培養，建立一支具有豐富經驗和開拓創新精神的微電子與光電子研究隊伍，是實現集成電路產業高質量發展的關鍵。
國際合作與知識產權保護加強國際合作不斷加強國際合作，以利於我國集成電路芯片和光電芯片的不斷發展。在全球經濟一體化的背景下，集成電路產業的發展還受到國際貿易環境、知識產權保護等多種因素的影響。因此，加強國際合作、提高自主創新能力、構建完善的產業鏈和生態係統，將是未來集成電路產業發展的關鍵。
知識產權保護建立健全知識產權保護體係，激勵創新，防止技術流失，是保障集成電路產業健康發展的重要措施。
通過上述布局，集成電路產業將能夠在未來保持其作為信息時代核心技術的地位，並為推動經濟社會的進步作出更大的貢獻。
早期發展階段1.1947年貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓發明了晶體管，這是微電子技術發展中的第一個裏程碑。
1950年結型晶體管誕生。
1951年場效應晶體管發明。
1956年c.s. fuller發明了擴散工藝。
1958年仙童公司的羅伯特·諾伊斯和德州儀器的傑克·基爾比分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的曆史。
技術進步1960年h.h. loor和e. casteni發明了光刻工藝。
1962年美國rca公司研製出mos場效應晶體管。
1963年f.m. wass和c.t. sah首次提出cmos技術，今天95%以上的集成電路芯片都是基於cmos工藝。
1964年英特爾的摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加一倍。
1966年美國rca公司研製出cmos集成電路，並研製出第一塊門陣列（50門）。
1967年應用材料公司（applied materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備製造公司。
大規模集成電路時代1971年英特爾推出1kb動態隨機存儲器（dram），標誌著大規模集成電路出現。
1971年全球第一個微處理器4004由英特爾公司推出，采用的是mos工藝，這是一個裏程碑式的發明。
1974年rca公司推出第一個cmos微處理器1802。
1976年16kb dram和4kb sram問世。
1978年64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的矽片上集成了14萬個晶體管，標誌著超大規模集成電路（vlsi）時代的來臨。
個人電腦時代1.1979年英特爾推出5mhz 8088微處理器，之後，ibm基於8088推出全球第一台pc。
1981年256kb dram和64kb cmos sram問世。
1984年日本宣布推出1mb dram和256kb sram。
1985年微處理器問世，20mhz。
1988年16m dram問世，1平方厘米大小的矽片上集成有3500萬個晶體管，標誌著進入超大規模集成電路（vlsi）階段。
現代發展1989年1mb dram進入市場。
1989年486微處理器推出，25mhz，1μm工藝，後來50mhz芯片采用0.8μm工藝。
1992年64m位隨機存儲器問世。
1993年66mhz奔騰處理器推出，采用0.6μm工藝。
1995年pentium pro，133mhz，采用0.6-0.35μm工藝。
1997年300mhz奔騰2問世，采用0.25μm工藝。
1999年奔騰3問世，450mhz，采用0.25μm工藝，後采用0.18μm工藝。
2000年1gb ram投放市場。
2000年奔騰4問世，1.5ghz，采用0.18μm工藝。
2001年英特爾宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。
2003年奔騰4 e係列推出，采用90nm工藝。
2005年英特爾酷睿2係列上市，采用65nm工藝。
2007年基於全新45納米high-k工藝的英特爾酷睿2 e7\/e8\/e9上市。
2009年英特爾酷睿i係列全新推出，創紀錄采用了領先的32納米工藝，並且下一代22納米工藝正在研發。
中國的集成電路產業誕生於20世紀60年代，經曆了從計算機和軍工配套到消費類整機配套的轉變，並在90年代通過908工程和909工程取得了新的發展。
繼續遵循摩爾定律盡管麵臨物理極限的挑戰，半導體行業仍在尋找新的技術突破，以維持摩爾定律的發展趨勢。
新材料和新工藝如高介電常數材料（high-k）、金屬柵極（metal gate）和三維晶體管結構（如finfet）等，這些技術有助於進一步提高晶體管的性能和降低功耗。
係統級集成（system-on-chip, soc）將多個功能模塊集成到單個芯片上，實現更高的集成度和更低的功耗。
異構集成（heterogeneous integration）結合不同的半導體技術和材料，實現更複雜的功能和更高的性能。
量子計算和神經形態計算探索新的計算範式，以應對傳統計算架構的局限性。
集成電路的發展曆史展示了人類在半導體技術領域的持續創新和進步，這些技術的發展不僅推動了計算機和電子設備的革新，也對現代社會的發展產生了深遠影響。
以下是一些集成電路上市公司的例子：
中芯國際是一家在開曼群島注冊成立的公司，於2004年3月18日在香港聯合交易所主板上市，並於2020年7月16日在上海證券交易所科創板上市。中芯國際主要從事集成電路芯片的製造，提供從0.35微米到14納米製程工藝的設計和製造服務。
紫光國微是一家在集成電路設計領域深耕二十餘年的公司，已成為國內集成電路設計企業龍頭之一。該公司采用無晶圓廠（fabless）經營模式，根據客戶需求安排產品的對外委托生產。紫光國微的業務涵蓋特種集成電路、智能安全芯片和晶體等領域，市場占有率有所提升。
上海貝嶺專注於集成電路芯片設計和產品應用開發，是國內集成電路產品主要供應商之一，也是上海集成電路設計業前十名企業。該公司的市盈率為-514.89，2023年營業總收入同比增長4.54%，毛利率達到29.47%。
士蘭微是另一家集成電路上市公司，其市盈率為-1665，2023年營業總收入同比增長12.77%，毛利率達到22.21%。
中微公司是一家在集成電路領域具有重要地位的上市公司，其市盈率為84.83，2023年營業總收入同比增長32.15%，毛利率達到45.83%。
這些公司在集成電路行業中具有較高的知名度和市場份額，它們的業務範圍涵蓋了從芯片設計到製造的各個環節。
集成電路作為現代科技的核心組成部分，其未來布局將圍繞以下幾個關鍵方向展開：
技術創新後摩爾時代的設計創新隨著矽集成電路製造技術在器件特征尺寸上按比例縮小的進度變緩或終將停止，通過新技術的引入，集成電路算力仍將持續提升。這包括通過集成電路設計、新型材料和器件的顛覆性創新使芯片的算力按照摩爾定律的速度提升。
量子芯片和類腦智能芯片量子芯片、類腦智能芯片將引起巨大的技術變革。利用集成電路加工技術實現對量子信息的操控，進而實現具有量子信息處理功能的芯片；構造類生物神經網絡的半導體器件，製造類腦神經網絡結構和信息表達處理機製的芯片和係統，實現類腦感知與認知，是通往通用人工智能的一條重要可行路線。
跨維度異質異構集成和封裝技術這種技術將實現量子芯片、類腦芯片、3d存儲芯片、多核分布式存算芯片、光電芯片、微波功率芯片等與通用計算芯片的巨集成，徹底解決通用和專用芯片技術向前發展的功耗瓶頸、算力瓶頸並實現其功能拓展。
產業發展產融對接麵對新技術、新材料、新場景的不斷湧現，集成電路產業應積極探索產融對接的新模式，搭建高效的產融對接平台。通過政府引導、市場運作的方式，引入產業投資基金、風險投資等資本，為企業提供充足的資金支持，加速創新鏈、產業鏈、資金鏈的聚合，促進科技成果的快速轉化與商業化應用。
以市場為導向產業鏈企業可通過市場調研和數據分析，準確把握市場需求，優化產能布局，避免供需失衡。特別是在市場廣袤的新興領域，如物聯網、智能汽車等，早布局，搶先機；建立靈活的生產調整機製，應對市場周期性波動，實現“超車”。
人才培養和科研投入加強基礎研究和應用研究：產業鏈應抓住新信息技術帶來的機會，增加對基礎研究和應用研究的投入，特別是在新材料、新工藝、新架構等方麵。例如，探索risc-v架構及chiplet技術；與高校、科研機構合作，建立聯合實驗室和研發中心，推動前沿技術的突破。
培養和引進人才通過引進和培養，建立一支具有豐富經驗和開拓創新精神的微電子與光電子研究隊伍，是實現集成電路產業高質量發展的關鍵。
國際合作與知識產權保護加強國際合作不斷加強國際合作，以利於我國集成電路芯片和光電芯片的不斷發展。在全球經濟一體化的背景下，集成電路產業的發展還受到國際貿易環境、知識產權保護等多種因素的影響。因此，加強國際合作、提高自主創新能力、構建完善的產業鏈和生態係統，將是未來集成電路產業發展的關鍵。
知識產權保護建立健全知識產權保護體係，激勵創新，防止技術流失，是保障集成電路產業健康發展的重要措施。
通過上述布局，集成電路產業將能夠在未來保持其作為信息時代核心技術的地位，並為推動經濟社會的進步作出更大的貢獻。