打印納米尺寸的電路，需要做到什麽程度？
納米級別的導線，需要用內徑為納米級別的針管，通過針管用液態導線材料注射，然後針管進行掠過式熱處理，讓出針管就是到達冰點的導線材料，如果是平麵上的導線安裝，可以不需要納米級別的衝壓工藝，如果是對凹坑內的導線安裝，就?用到納米級別的衝壓工藝，需要用到用折彎針，把導線折彎，然後用折彎針機器手，把折彎的導線頭，插入到凹坑內。
如果是納米級別的電磁閥，也就是各種把電信號轉化為磁場，然後進行把一個電信號，以磁場的方式，進行群發，就需要用到納米級別的電磁線圈製作機器了，比如製作納米級別的電磁鐵，比如製作納米級別的磁場轉化為電的發電機。
如果是納米級別的二極管，三極管，就需要研究超小尺寸的真空二極管，真空三級管製作工藝了。
而如果涉及到納米級別的光，電，磁，三者作為信號，也就是研發以光為信號傳導的防emp芯片，就需要研究納米級別的透鏡，納米級別的反光鏡，納米級別的光偏轉閥門，納米級別的光通止閥門。
芯片製作，最重要的，是什麽元件，最小能做到多小，最少用多少種材料就能製作一個單獨的元件。
需要考慮到芯片的抗摔性能，芯片的散熱。
因為芯片的散熱需求，往往把工作時發熱最多的部分，都盡可能的貼近外表麵，也就讓熱量不需要過多通過芯片本身進行熱傳導才能被外部散熱係統散熱。
如果是機密芯片，還要考慮到防x光照射，防伽馬射線照射，防納米級別的急凍拆解，要考慮到各種拆卸速度，以及各種暴力的點陣衝壓，然後用圓柱側麵方向進行光學觀測的逆向工程硬件進行芯片破解的問題。
如果所謂的光刻機，隻是芯片強國把各種低成本的芯片製作方法給隱藏了，隻虛構出一種需要高成本的芯片製作方法，從而用成本和收益的逆差，來預防競爭對手呢？
納米級別的導線，需要用內徑為納米級別的針管，通過針管用液態導線材料注射，然後針管進行掠過式熱處理，讓出針管就是到達冰點的導線材料，如果是平麵上的導線安裝，可以不需要納米級別的衝壓工藝，如果是對凹坑內的導線安裝，就?用到納米級別的衝壓工藝，需要用到用折彎針，把導線折彎，然後用折彎針機器手，把折彎的導線頭，插入到凹坑內。
如果是納米級別的電磁閥，也就是各種把電信號轉化為磁場，然後進行把一個電信號，以磁場的方式，進行群發，就需要用到納米級別的電磁線圈製作機器了，比如製作納米級別的電磁鐵，比如製作納米級別的磁場轉化為電的發電機。
如果是納米級別的二極管，三極管，就需要研究超小尺寸的真空二極管，真空三級管製作工藝了。
而如果涉及到納米級別的光，電，磁，三者作為信號，也就是研發以光為信號傳導的防emp芯片，就需要研究納米級別的透鏡，納米級別的反光鏡，納米級別的光偏轉閥門，納米級別的光通止閥門。
芯片製作，最重要的，是什麽元件，最小能做到多小，最少用多少種材料就能製作一個單獨的元件。
需要考慮到芯片的抗摔性能，芯片的散熱。
因為芯片的散熱需求，往往把工作時發熱最多的部分，都盡可能的貼近外表麵，也就讓熱量不需要過多通過芯片本身進行熱傳導才能被外部散熱係統散熱。
如果是機密芯片，還要考慮到防x光照射，防伽馬射線照射，防納米級別的急凍拆解，要考慮到各種拆卸速度，以及各種暴力的點陣衝壓，然後用圓柱側麵方向進行光學觀測的逆向工程硬件進行芯片破解的問題。
如果所謂的光刻機，隻是芯片強國把各種低成本的芯片製作方法給隱藏了，隻虛構出一種需要高成本的芯片製作方法，從而用成本和收益的逆差，來預防競爭對手呢？